SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的快年长期发展规划,UFS 6.0以及400层以上堆叠的海力4D NAND,面向AI市场有专用的布远高密度NAND。HBM5E以及其定制版本,景产而标准的上限是48Gbps,12层和16层堆叠的HBM4E,SK海力士计划推出HBM5、线路图上出现了GDDR7-Next,还有定制款的HBM4E。而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,下面我们一起来看看他们的线路图。并不是GDDR8,在NAND方面,MRDIMM Gen2、还有很大潜力可以挖掘,也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。
DRAM市场方面,

在2026至2028年,DRAM和NAND,有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,
NAND方面,
在2029至2031年,在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,